轨到轨,低噪声运算放大器

  • 产品结构:环氧塑料非气密性实体封装
  • 结构特征:环境适应性强、体积小、重量轻、可靠性高
  • 电特性:低失调电压、 高增益带宽、轨到轨输出
  • 典型应用:传感器、光电二极管前置放大、有源滤波、检测设备、 A/D 转换驱动
  • 静电放电敏感等级:3A 级,3000/5000V,湿敏等级:2级
  • QZJ840615 – 半导体模拟集成电路“七专”技术条件,军筛,普军规范

该器件主要型号参数如下:

参数/型号RS52XRS62XRS72XRS82X
VS 电源电压(V)2.5~5.52.5~5.52.5~5.52.5~5.5
VI 输入电压(V)VS±0.5VS±0.5VS±0.5VS±0.5
II 输入电流(mA)±10±10±10±10
PD 最大功耗(W)0.3~1.00.3~1.00.3~1.00.3~1.0
工作温度(℃)-55~125-55~125-55~125-55~125
VIO 输入失调电压(mV)0.30.10.30.6
VIO 温度系数(μV/℃)222.61.6
IIO 输入失调电流(pA)1111
IIB 输入偏置电流(pA)1111
IOS 输出短路电流(mA)8050140110
IQ 静态电流(μA)26060011001900
IQ(OFF) 关闭静态电流(μA)11
VICR 输入共模电压范围(V)-0.1~5.6-0.1~5.6-0.2~5.7-0.1~5.6
VOP 输出电压摆幅(mV)7737
KCMR 共模抑制比(dB)62~7163~8365~8161~75
KSVR 电源电压抑制比(dB)76~8678~9375~9775~88
AOL 开环电压增益(dB)100~11098~106100~11089~98
SR 压摆率(V/μs)1.83.7610
GBW 增益带宽乘积(MHz)3.671014
tON 开启时间(μs)201320
tOFF 关闭时间(μs)33
tR 过载恢复时间(μs)0.70.53.20.3
备注:VS=5V, VOUT= VS /2, RL=1kΩ, TA=25℃,参数为典型值。
参考: