射频低噪声放大器
该器件是一款宽带、 低噪声、 高线性放大芯片， 具有很好的带内增益平坦度。 芯片采用 GaAs pHEMT 工艺制造， 可工作在 0.8 ～ 6GHz， 封装形式为 DFN8 2mm*2mm 封装。 内置有源偏置电路保证了芯片的温度和工艺稳定性。
- 频率范围：0.8 G～6 GHz
- 工作电压Vcc：5 V
- 工作电流Icc：65 mA
- 典型增益：19 dB@1.6 GHz
- 噪声系数：0.33 dB@1.6 GHz
- 输出P-1dB：20 dBm
- 输出IP3：37 dB
- 封装：DFN8（2mm×2mm）
- 工作温度：-55 ~ +125 ℃
典型应用和芯片引脚示意：
